LED芯片：藍寶石和碳化硅迎來新的“競爭對手”
目前，LED芯片技術的發(fā)展關鍵在于襯底材料和晶圓生長技術。除了傳統(tǒng)的藍寶石、硅(Si)、碳化硅(SiC)襯底材料以外，氧化鋅(ZnO)和氮化鎵(GaN)等也是當前LED芯片研究的焦點。
目前，市面上大多采用藍寶石或碳化硅襯底來外延生長寬帶隙半導體氮化鎵，這兩種材料價格都非常昂貴，且都為國外大企業(yè)所壟斷，而硅襯底的價格比藍寶石和碳化硅襯底便宜得多，可制作出尺寸更大的襯底，提高MOCVD的利用率，從而提高管芯產(chǎn)率。所以，為突破國際專利壁壘，中國研究機構和LED企業(yè)從硅襯底材料著手研究。
但問題是，硅與氮化鎵的高質量結合是LED芯片的技術難點，兩者的晶格常數(shù)和熱膨脹系數(shù)的巨大失配而引起的缺陷密度高和裂紋等技術問題長期以來阻礙著芯片領域的發(fā)展。
無疑，從襯底角度看，主流襯底依然是藍寶石和碳化硅，但硅已經(jīng)成為芯片領域今后的發(fā)展趨勢。對于價格戰(zhàn)相對嚴重的中國來說，硅襯底更有成本和價格優(yōu)勢：硅襯底是導電襯底，不但可以減少管芯面積，還可以省去對氮化鎵外延層的干法腐蝕步驟，加之，硅的硬度比藍寶石和碳化硅低，在加工方面也可以節(jié)省一些成本。
目前LED產(chǎn)業(yè)大多以2英寸或4英寸的藍寶石基板為主，如能采用硅基氮化鎵技術，至少可節(jié)省75%的原料成本。據(jù)日本三墾電氣公司估計，使用硅襯底制作大尺寸藍光氮化鎵LED的制造成本將比藍寶石襯底和碳化硅襯底低90%。
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